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2、如果在正常使用条件下,腐蚀产物在金属表面形成保护层,而在高温条件下可能不形成这种保护层,因而使腐蚀速度增加,腐蚀现象完全改变。如果在正常条件下,金属只出现一般的缓慢腐蚀,但在高温条件下可能出现非常严重的腐蚀,例如产生空穴腐蚀和应力腐蚀。

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电子元器件的防腐措施

故障通常表现为元件本身对电源有一定阻值的短路现象。对于双极性元件，损坏一般发生在薄氧化层隔开的已进行金属喷镀的有源半导体区域，因此会产生泄漏严重的路径。于节点的温度超过半导体硅的熔点（1415C）时所引起的。静电放电脉冲的能量可以产生局部地方发热，因此岀现这种机理的故障。即使电压低于介质的击穿电压，也会发生这种故障。

一个典型的例子是，NPN型三极管发射极与基极间的击穿会使电流增益急剧降低。器件受到静电放电的影响后，也可能不立即岀现功能性的损坏。这些受到潜在损坏的元件通常被称为“跛脚”，一旦加以使用，将会对以后发生的静电放电或传导性瞬态表现岀更大的敏感性。要密切注意元件在不易察觉的放电电压下发生的损坏，这一点非常重要。

电子元器件的防腐要求

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除另有规定外，仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求:（1）温度：-530。相对湿度：20%75%。仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录。特殊要求2.1、对静电敏感器件（如MOS场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMOS电路等），应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。

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